N Kalite Mono Bifacial HJT Solè Selil

N Kalite Mono Bifacial HJT Solè Selil

Silisyòm Heterojunction Teknoloji (HJT) baze sou yon emetè ak tounen sifas jaden (BSF) ki te pwodwi pa kwasans tanperati ki ba nan ultra-kouch mens nan Silisyòm amorphe (a-Si:H) sou tou de bò nan trè byen netwaye silisyòm monokristalin wafers, mwens pase 200 μm nan epesè, kote yo depoze selil electrons. nan oksid kondiktif transparan ki pèmèt pou yon metalizasyon ekselan. Metalizasyon an ka fèt pa yon enprime ekran estanda ki lajman itilize nan endistri pou majorite selil oswa ak teknoloji inovatè.
Share to
Voye rechèch
Chat kounye a
Dekri teren
Karakteristik teknik

 

 

Pwodwi Deskripsyon

 

 

 

Estrikti Nwayo Selil HJT

 

Silisyòm Heterojunction Teknoloji (HJT) baze sou yon emetè ak tounen sifas jaden (BSF) ki te pwodwi pa kwasans tanperati ki ba nan ultra-ti kouch Silisyòm amorphe (a-Si:H) sou tou de bò nan trè byen netwaye monokristalin Silisyòm wafers, mwens pase 200 μm nan epesè, kote electrongenerated ak holes.

product-1-1
HJT solar cell structure 400

Pwosesis fabrikasyon selil HJT

 

Pwosesis selil yo konplete pa depo transparan oksid konduktif ki pèmèt yon metalizasyon ekselan. Metalizasyon an ka fèt pa yon enprime ekran estanda ki lajman itilize nan endistri pou majorite selil oswa ak teknoloji inovatè.

Avantaj Teknoloji HJT

 

Teknoloji Heterojunction (HJT) selil solè Silisyòm yo te atire anpil atansyon paske yo ka reyalize efikasite konvèsyon segondè, jiska 25%, pandan y ap itilize pwosesis tanperati ki ba, anjeneral anba a 250 degre pou pwosesis la konplè. Tanperati pwosesis ki ba pèmèt manyen wafers Silisyòm ki gen mwens pase 100 μm epè pandan w ap kenbe yon sede segondè.

Profile2

 

 

 

 

               

Pwosesis koule

 

 

 

                       

 

 

Process flow A black

 

 

Karakteristik kle yo

 

 

 

 

Segondè Eff ak segondè Voc

Ba tanperati koyefisyan 5-8% pouvwa pwodiksyon genyen

Estrikti bifas

 

【Done teknik】

 

HJT solar cell Technical Data 1R
 

DONE TEKNIK AK DESIGN KOEFISYAN TANPERATI AK SOLDERABILITE
Dimansyon 156.75mm * 156.75mm±0.25 TkUoc (%/K) -0.27
Epesè 190±30 µm TkIsc (%/K) +0.05
Devan 5 Busbars TkPMAX (%/K) -0.336
Retounen 5 Busbars Peel fòs Minimòm >1.4N/mm

 

HJT solar cell Technical Data 2R

 

Non. Efikasite (%) Pmpp (W) Uoc (V) Isc (A) FF (%)
1 23.50 5.74 0.743 9.6 80.53
2 23.40 5.72 0.741 9.592 80.43
3 23.30 5.70 0.74 9.585 80.33
4 23.20 5.67 0.738 9.577 80.24
5 23.10 5.65 0.737 9.57 80.14
6 23.0 5.63 0.735 9.562 80.04
7 22.90 5.60 0.733 9.554 79.94
8 22.80 5.58 0.732 9.547 79.84
9 22.70 5.55 0.73 9.539 79.75
10 22.60 5.53 0.729 9.532 79.65
11 22.50 5.51 0.727 9.524 79.55
12 22.40 5.48 0.725 9.516 79.45
13 22.30 5.46 0.724 9.509 79.36
14 22.20 5.44 0.722 9.501 79.26
15 22.10 5.41 0.721 9.494 79.16
16 22.00 5.39 0.719 9.486 79.06
17 21.90 5.37 0.717 9.479 78.97
18 21.80 5.35 0.716 9.471 78.87
19 21.70 5.32 0.714 9.463 78.77
20 21.60 5.30 0.712 9.456 78.67
21 21.50 5.28 0.711 9.448 78.57

 

 

Sètifika

 

 

4

 

 

1 1

  

 

 

Baj popilè: N Kalite Mono Bifacial HJT Solè selil, Lachin, Swèd, manifaktirè, faktori, te fè nan peyi Lachin

Voye rechèch
Voye rechèch