Pwodwi Entwodiksyon
Pwopriyete materyèl
Paramèt | Karakteristik | Metòd kontwòl ASTM |
Kalite/dopan | P, bore N, fosfò N, Antimwàn N, asenik | F42 |
Oryantasyon | <100>, <111>Tranch koupe oryantasyon pou chak espesifikasyon kliyan an | F26 |
Kontni oksijèn | 1019 PPMA tolerans koutim pou chak spesifikasyon kliyan an | F121 |
Kontni kabòn | < 0.6 ppmA | F123 |
Rezistivite chenn- p, bor-n, fosfò-n, Antimony-n, asenik | 0. 001 - 50 ohm cm | F84 |
Pwopriyete mekanik
Paramèt | Premye | Kontwole/ tès a | Tès | Metòd ASTM |
Dyamèt | 2 0 0 ± 0.2 mm | 2 0 0 ± 0.2 mm | 2 0 0 ± 0.5 mm | F613 |
Epesè | 725 ± 20 µm (estanda) | 725 ± 25 µm (estanda) 450 ± 25 µm 625 ± 25 µm 1000 ± 25 µm 1300 ± 25 µm 1500 ± 25 µm | 725 ± 50 µm (estanda) | F533 |
TTV | < 5 µm | < 10 µm | < 15 µm | F657 |
Ne | < 30 µm | < 30 µm | < 50 µm | F657 |
Vlope | < 30 µm | < 30 µm | < 50 µm | F657 |
Kwen awondi | Semi-STD | F928 | ||
Make | Prensipal semi-plat sèlman, semi-STD plat Jeida plat, dan | F26, F671 | ||
Kalite sifas yo
Paramèt | Premye | Kontwole/ tès a | Tès | Metòd ASTM |
Kritè bò devan | ||||
Kondisyon sifas yo | Chimik mekanik poli | Chimik mekanik poli | Chimik mekanik poli | F523 |
Sifas brutality | < 2 A° | < 2 A° | < 2 A° | |
Contamination,Particles @ >0.3 µm | = 20 | = 20 | = 30 | F523 |
Brouyar, twou, kale zoranj | Okenn | Okenn | Okenn | F523 |
Wè mak, striations | Okenn | Okenn | Okenn | F523 |
Kritè tounen bò | ||||
Fant, crowsfeet, wè mak, tach | Okenn | Okenn | Okenn | F523 |
Kondisyon sifas yo | Mordan grave | F523 | ||
Deskripsyon pwodwi
Pafè pou aplikasyon pou mikrofluidik. Pou aplikasyon pou mikwo -elektwonik oswa MEMS, tanpri kontakte nou pou karakteristik detaye.
Liy pwodwi Microelectronics 'gen ladan tou de yon sèl bò poli (SSP) ak doub bò poli (DSP) wafer substrats. Double bò poli gato yo tipikman egzije nan semi -conducteurs, MEMS, ak aplikasyon pou lòt kote gato ki gen karakteristik byen sere kontwole yo obligatwa. Yo bezwen tou pou modèl manifakti doub bò ak aparèy.
Gwo stock nan gato doub bò poli nan tout dyamèt wafer sòti nan 100mm a 300mm. Si spesifikasyon ou a pa disponib nan envantè nou an, nou te etabli relasyon tèm long ak fournisseurs anpil ki kapab nan gato manifakti koutim nan anfòm nenpòt ki espesifikasyon inik. Double bò poli gato yo disponib nan Silisyòm, vè ak lòt materyèl souvan itilize nan endistri a semi -conducteurs.
Customized dicing ak polisaj tou se avaible dapre kondisyon ou yo. Souple ou lib pou kontakte nou.
Karakteristik pwodwi yo
· 8 "P/N Kalite, poli Silisyòm Wafer (25 pcs)
· Oryantasyon: 200
· Rezistivite: 0. 1 - 40 ohm • cm (li ka varye soti nan pakèt pakèt)
· Epesè: 725+/-20 um
· Premye/ki monitè kè bebe/klas tès la
Baj popilè: 8 pous (200mm) wafer, Lachin, founisè, manifaktirè, faktori, te fè nan Lachin
