Sous: advancedsciencenews
Plis ogmante efikasite nan konvèsyon enèji nan n-kalite Silisyòm selil solè ak bor-doped emeteur, recombination konpayi asirans chaj nan rejyon an emeteur dwe diminye. Pou sa, se pa sèlman resonbabilite akizasyon an nan fotokopi a (ki pa metalize) enpòtan men tou nan kontak metal yo. Kondisyon an sou pwofil la dopan pou reyalize recombination ki ba konpayi asirans chaj se trè diferan nan de rejyon sa yo.
Yon solisyon pou fòme rejyon ki emèt ant dopaj se l 'a sa yo rele apwòch selektif emeteur. Se poutèt sa, yon pi wo dopan anba kontak metal la reyalize pa kondwi nan plis atòm bòn nan borozilikat an vè (BSG) kouch - ki fòme pandan tribromid bor (BBr3) difizyon - atravè difizyon lazè. Pou yon aplikasyon siksè nan difizyon lazè, BSG a bezwen bay ase bor apre BBR3 difizyon.
Yon nouvo konsèp nan atache yon dezyèm etap depozisyon nan fen yon difizyon BBr3 te prezante dènyèman pa chèchè, kote dezyèm depozisyon dekri yon koule azòt aktif atravè barboteur la BBr3. Apwòch sa a bay yon de fwa pi wo dòz bor nan kouch nan BSG konpare ak difizyon nan BBr3 san dezyèm depozisyon ki fasilite fòmasyon nan lazè-doped emeteur selektif. Pandan difizyon BBr3 yon kouch pile ki fòme ak BSG ak yon entèmedyè dyoksid Silisyòm (SiO2) grandi sou sifas Silisyòm lan.
Dezyèm etap nan depozisyon diminye epesè nan kouch an SiO2 ak ogmante epesè nan kouch BSG. Apre dopan lazè, konsantrasyon nan konpayi asirans chaj la pi wo pou pwosesis la difizyon BBr3 ak dezyèm depozisyon sa ki lakòz dopan pi fò lokal yo. Apwòch sa a trè pwomèt pou diminye rekombinasyon konpayi asirans lan nan selil solè n-tip Silisyòm ki pèmèt yon ogmantasyon nan efikasite enèji konvèsyon nan aparèy sa yo.
