Wafer N-Type M2 monokristalin Silisyòm lan karakteristik yon kazi-kare 156.75 × 156.75 mm konsepsyon ak kwen awondi, balanse konpatibilite ak kouman modil estanda ak optimize kaptire limyè. Pwodwi lè l sèvi avèk metòd la CZ ak dopan fosfò, li ofri pite materyèl segondè,<100>Oryantasyon, ak dansite ki ba debwatman (mwens pase oswa egal a 500 cm⁻²). Avèk konduktiviti N-kalite, yon ranje lajè rezistivite (0.2-12 Ω · cm), ak segondè tout konpayi asirans minorite (pi gran pase oswa egal a 1000 µs), li sipòte teknoloji selil segondè-efikasite tankou TOPCON ak HJT. Wafer nan M2 rete yon fòma pwouve ak serye pou pèfòmans ki estab nan aplikasyon pou endikap PV.
1. Pwopriyete materyèl
|
Posesyon |
Spesifikasyon |
Metòd enspeksyon |
|
Metòd kwasans |
Komen |
|
|
Kristalinite |
Monokristalin |
Teknik preferansyèl etch(ASTM F47-88) |
|
Kalite konduktivite |
N-kalite |
Napson EC-80TPN |
|
Dopan |
Fosfò |
- |
|
Konsantrasyon oksijèn [OI] |
Mwens pase oswa egal a8e +17 nan/cm3 |
FTIR (ASTM F121-83) |
|
Kabòn konsantrasyon [CS] |
Mwens pase oswa egal a5e +16 nan/cm3 |
FTIR (ASTM F123-91) |
|
Etch twou dansite (dansite debwatman) |
Mwens pase oswa egal a500 cm-2 |
Teknik preferansyèl etch(ASTM F47-88) |
|
Oryantasyon sifas yo |
<100>± 3 degre |
Metòd difraksyon X-ray (ASTM F26-1987) |
|
Oryantasyon nan kote kare pseudo |
<010>,<001>± 3 degre |
Metòd difraksyon X-ray (ASTM F26-1987) |
2. pwopriyete elèktrik
|
Posesyon |
Spesifikasyon |
Metòd enspeksyon |
|
Rezistivite |
0.2-2.0 ω.cm 0.5-3.5 ω.cm
1.0-7.0 ω.cm
1.5-12 ω.cm
|
4-pwofonde rezistivite
mezi
|
|
MCLT (Minority Carrier Lifetime) |
Pi gran pase oswa egal a 1000 µs (rezistivite ＞ 1.0 ω.cm) Pi gran pase oswa egal a 500 µs (rezistivite ＜ 1.0 ω.cm
|
Sinton BCT-400 Pasaj sou
(Avèk nivo piki: 5e14 cm-3)
|
3.geometri
|
Posesyon |
Spesifikasyon |
Metòd enspeksyon |
|
Jeyometri |
Quasi Square
|
Vernier Caliper
|
|
Dyamèt
|
210 ± 0.25 mm
|
Vernier Caliper |
|
Plat plat
|
156.75 ± 0.25 mm
|
Vernier Caliper
|
|
Longè kwen
|
8.5 ± 0.5mm
|
Lajè-chèz kare/chèf
|
|
Angularite
|
90 degre ± 0.2 degre |
Ang ang
|
|
Fòm kwen
|
Fòm wonn
|
Enspeksyon vizyèl
|
|
Perpendicularit
|
Mwens pase oswa egal a 0.8 mm
|
|
|
TTV (varyasyon epesè total) |
Mwens pase oswa egal a 27 µm |
Sistèm enspeksyon wafer |
4.Pwopriyete sifas yo
|
Posesyon |
Spesifikasyon |
Metòd enspeksyon |
|
Kalite sifas yo
|
Tach, lwil, grate, krak, twou, boul,
Pinhole ak Twin domaj yo pa
pèmèt
|
Enspeksyon vizyèl
|
|
Ekla
|
Chip sifas pa pèmèt;
Arris: Chips yo enkonvenyans:
Mwens pase 10 sou arris a, DIA mwens pase oswa egal a 0.3mm;
|
Souvren
|
|
Sifas roughne
|
Sifas avyon: RA mwens pase oswa egal a 0.6um;
Sifas cambered: RA mwens pase oswa egal a 1.0um
|
Mèt brutality sifas yo
|
Baj popilè: N-Type M2 monokristalin Silisyòm Wafer spesifikasyon, Lachin, Swèd, manifaktirè, faktori, te fè nan Lachin
