Sous: vonardenne.biz
Originally pibliye nan Photovoltaics Entènasyonal, edisyon 44, Me 2020
Alexandros Cruz1, Darja Erfurt1, René Köhler2, Martin Dimer2, Eric Schneiderlöchner2& amp; Bernd Stannowski1
Abstrè
Silisyòm etewojonksyon (SHJ) solè teknoloji selil se yon teknoloji atire pou gwo-echèl pwodiksyon de selil solè ak yon efikasite konvèsyon segondè pi lwen pase 24%. Yon eleman kle nan selil solè SHJ yo, kontras ak jounen jodi a' s toupatou emeteur pasivated ak kontak dèyè (PERC) teknoloji selil, se itilize nan transparan oksid kondiktif (TCO), ki poze defi nan pèfòmans ak depans, men tou prezante opòtinite. Papye sa a diskite sou aspè sa yo epi li montre potansyèl pou amelyore efikasite selil a pri redui lè l sèvi avèk nouvo TCOs depoze pa aktyèl dirèk (DC) sputtering. Nan ka selil junction dèyè SHJ yo, li posib pou diminye, oswa menm evite, itilizasyon endyòm nan TCO sa yo, ak oksid zenk aliminyòm-doped (AZO) ke yo te youn posib ranplasan pou endium-oksid ki baze sou TCOs. Disponibilite nan TCOs pèfòmans segondè pou gwo-echèl pwodiksyon an mas, ki pral ankouraje pénétration nan mache nan selil SHJ, se rezime.
Egzanp ekipman pwodiksyon mas TCO a: VON ARDENNE a XEA|nova L
Entwodiksyon
Selil solè Silisyòm ki baze sou teknoloji emeteur pasiv ak kontak dèyè (PERC) yo te rive nan nivo milti-gigawat nan pwodiksyon an mas, ak efikasite konvèsyon (CEs) nan 22% e kounye a, apwoche 23%. Pou menm pi wo CEs, kontak pasivasyon yo konsidere yo dwe pwochen jenerasyon teknoloji selil la. Isit la, teknoloji etewojonksyon Silisyòm (SHJ) se yon kandida pwomèt epi kous soti nan pòtay la kòmanse, ak yon CE nan 23-24% ki te deja te demontre sou gato plen gwosè, se pa sèlman nan liy pilòt, men tou nan pwodiksyon largescale [ 1]. Pandan ke li te Panasonic (ansyen Sanyo) ki pyonye teknoloji sa a, jwè divès kalite atravè lemond yo te nan entre-temps la bati pwòp liy pwodiksyon yo, tankou ENEL Green enèji ak Hevel Solè nan Ewòp, ak REC, Jinergy, GS-Solè ak divès lòt moun nan pwovens Lazi. Pi gwo benefis teknoloji SHJ yo te diskite nan yon atik resan Ballif et al. [2]. Anplis CE segondè a, yon avantaj kle nan SHJ se sekans pwodiksyon mèg, ak sèlman kat etap prensipal ki nesesè pou trete tou de bò simetrik:
1. Mouye-netwaye ak tèkstur nan gato.
2. a-Si: H depozisyon pa plasma-ranfòse depo chimik vapè (PECVD).
3. Depozisyon kouch transparan oksid kondiktif (TCO) pa depozisyon vapè fizik (PVD, anjeneral sputtering).
4. Enprime ekran nan gri an ajan.
Paske nan pwosesis la ki ba-tanperati (& lt; 200 ° C) ak chemine a aparèy simetrik, ka estrès-induit koube plat ak fann ka evite, ki vle di gato mens ka itilize, konsa ekonomize depans materyèl ak enèji. Pile SHJ la rive natirèlman nan yon konsepsyon selil bifasyal; nplis de sa, selil SHJ gen koyefisyan tanperati ki pi ba nan jaden an, tipikman –0,28% / ° C. Konbinezon an nan bifaciality ak koyefisyan tanperati ki ba ogmante pwodiksyon an enèji nan yon sistèm PV.
Nan lòt men an, kèk nan faktè sa yo limite yon ogmantasyon rapid nan absorption nan teknoloji SHJ yo se pri yo ekipman relativman wo, sitou pou PECVD (men tou pou PVD), ak selil la adapte kontakte pou fabrikasyon modil (pa gen okenn estanda wo-tanperati soudaj). Plis Ag keratin ki nesesè pase pou selil Si estanda, paske nan tanperati a ba-geri, ki bay pi ba dwèt konduktivite; sa a, sepandan, depann sou apwòch la interconnexion, espesyalman si wi ou non busbars yo te itilize. Finalman, epi diskite an plis detay nan papye sa a, objektif pou sputtering kouch TCO sou tou de bò yo oblije, ki koute chè pou materyèl yo ke yo anjeneral anplwaye.
Oksid Endyòm (Nan2O3) doped ak fèblan (Sn), refere yo kòm ITO, se kounye a pi souvan itilize TCO a [3-5]. Sa a transparan oksid kondiktif se byen li te ye nan pwodiksyon an mas nan ekspozisyon plat-panèl (FPD) ak montre apwopriye opto-elektwonik pwopriyete, tankou rezistivite ki ba nan kouch mens ak ase transparans nan seri a vizib. Yon konsiderasyon enpòtan pou pwodiksyon FPD, ITO ka trete pa fotolitografi, menm jan li etchable (nan eta a kòm-depoze) epi li se alontèm ki estab apre solid-faz kristalizasyon sou rkwit tèmik nan 150-200 ° C. Anjeneral, ITO depoze pa aktyèl dirèk (DC) magnetron sputtering sou gwo zòn yo. Menm si DC sputtering okòmansman lakòz kèk domaj nan pasivasyon nan sifas Silisyòm, sa a se konplètman rkwit nan tanperati ki nan apeprè 200 ° C, ki rive swa pandan sputtering oswa pita pandan geri nan keratin nan Ag apre enprime ekran.
Kontrèman a FPDs, TCO te ranpli kondisyon adisyonèl lè yo aplike sou bò devan selil SHJ yo, sètadi yon transparans ekselan nan ranje longèdonn pi laj 300-1.100 nm. Fig. 1 montre spectre absòpsyon nan divès kouch TCO, demontre diferans ki genyen nan absòpsyon parazit nan rejim kout ak long longèdonn yo. Anplis sa a absòpsyon ki ba, rezistans kontak ki ba ak tou de kouch yo Silisyòm n- ak p-doped, osi byen ke ak griy metal la, yo obligatwa pou kouch yo TCO sou tou de bò yo. Denye, men pa pi piti, kontrent yo pri nan selil solè yo trè sevè, epi, anvizaje PV sou yon echèl Terawatt, li esansyèl diminye (oswa pi byen toujou, evite) itilize nan materyèl kritik oswa ra, tankou endyòm ( Nan). Aspè lèt la, sepandan, toujou difisil pou adrese, paske pifò aparèy TCOs gen bon kalite endyòm. Youn nan opsyon se diminye epesè nan TCOs sa yo, ki Lè sa a, mande pou yon kouch dezyèm yo dwe depoze yo nan lòd yo kenbe ideyal optik (anti-reflektif) pèfòmans. Sa a, nan vire, ogmante kantite etap pwosesis, epi, kon sa, pwosesis la konpleksite ak depans yo.
Papye sa a adrese optimize nan TCO pou enkòporasyon nan selil solè SHJ. Yon metrik prezante pou evalye ak benchmarking diferan TCOs ak konsiderasyon de konvnab yo pou aplikasyon nan selil SHJ. Pou diminye pèt optik nan TCO devan an, itilizasyon materyèl ki gen yon gwo transparans obligatwa. Yon gwo mobilite chaj-konpayi asirans, tipikman> 100 cm2/ Vs, pèmèt yon rediksyon nan dansite konpayi asirans (nan rezistivite konstan), kidonk diminye pèt la optik akòz absòpsyon gratis-konpayi asirans (FCA).
Divès 'segondè-mobilite' materyèl TCO ki baze sou oksid endyòm ak dopan diferan yo te envestige nan tan lontan an [6-13]. Tout moun sa yo montre pwopriyete ekselan kòm kouch TCO sou vè ak pi fò nan yo yon CE segondè kòm byen. Sib fabrikasyon, sepandan, se difisil ak depans sa yo ki wo pou anpil nan materyèl sa yo.
Nouvo TCO ki ka trete nan gwo-echèl pwodiksyon de objektif wotasyonèl yo disponib kounye a, ki bay gwo mobilite ak pwodwi selil SHJ ak segondè CE. Sikonstans yo nan ki ka AZO kòm yon altènatif endyòm-gratis ak pri ki ba-kapab aplike nan segondè-efikasite selil SHJ yo pral diskite pita. Yon konparezon pri nan ki baze sou ak ZnO ki baze sou sib yo pral prezante tou.
Figi 1. Spectre absòpsyon optik pou divès kalite kouch TCO epesè
TCO pou selil solè SHJ
Nan tan lontan, plizyè materyèl TCO te envestige pou itilize nan selil solè SHJ yo. Kondisyon enpòtan pou aplikasyon sa a se konduktivite segondè, epi transparans segondè, ak tanperati pwosesis ki anba a 200 ° C (paske nan sansiblite nan kouch mens-fim Silisyòm pasivasyon), osi byen ke bon fòmasyon kontak ak kouch vwazen yo [14].
Pami kèk nan TCO ki enpòtan yo, polikristalin Sn-doped Nan2O3(ITO) grandi nan tanperati ki anba a 200 ° C, ki rive nan mobilite elèktron (μe) alantou 40cm2/ Vs [3-5], te jwenn aplikasyon lajè nan selil solè SHJ yo. Nan TCOs ki baze sou dopan ak lòt metal, tankou Titàn (Ti) [15,16], zirkonyòm (Zr) [6,12,13], molybdenum (Mo) [15,17-19] ak tengstèn (W) [ 10,11], sede valè μe pi gran pase 80 cm2/ Vs nan yon dansite chargecarrier (ne) sòti nan 1 × 1020 a 3 × 1020 cm-3.
Kouch sa yo ka depoze via sputerin magnetron, depozisyon lazè enpulsyonèl (PLD), ak ion plating ak DC egzeyat arc oswa reyaktif plasma depozisyon (RPD). Soti nan sa yo, sputtering se metòd ki pi etabli pou pwodiksyon an mas. Yon mobilite menm pi wo nan μe> 100 cm2/ Vs ka reyalize pou solid-faz kristalize (SPC) idwojèn (H) -doped Nan2O3(IOH) [6-9] ak sereyòm (Ce) ICeO: H [7] fim ak 1 × 1020<>< 3="" ×="" 1020="">-3. Fim sa yo depoze nan tanperati ki ba nan yon matris amorphe ak imedyatman rkwit nan tanperati ki pi wo pase 150 ° C, ki rezilta yo nan valè μe segondè paske nan fòmasyon nan grenn gwo.
TCO yo prezante pi wo a yo atire paske nan pèfòmans eksepsyonèl opto-elektrik yo, men nan dat sitou ITO ak IWO: H yo te jwenn wout yo nan pwodiksyon endistriyèl. Rate nan endyòm, sepandan, se yon motivasyon pou aplikasyon an nan TCOs altènatif. AZO ofri avantaj ki genyen nan gen plis abondan materyèl konpoze. Kouch AZO ak yon epesè nan plizyè santèn nanomèt, sputtered nan tanperati ki wo> 250 ° C, sede bon opto-elektwonik pwopriyete [20] epi tou estabilite [21].
Kouch mens nan epesè mwens pase 100 nm depoze nan tanperati ki anba a 200 ° C, jan sa nesesè pou selil SHJ, nan kontras montre yon estrikti kristal pòv, kidonk sa ki lakòz valè mobilite ki ba alantou 20cm2 / Vs ak pòv estabilite alontèm [22]. Amelyore estabilite pou selil solè SHJ yo, sepandan, yo te montre lè yo aplike yon oksid Silisyòm amorphe (a-SiO2) capping [23].
Jan sa endike nan μ laevalè yo jwenn, ak depann sou kondisyon pwosesis, TCOs yo diferan demontre nan yon pakèt domèn mobilite elèktron. Rezistans nan fèy TCO (R▫) chenn yo ka klase jan yo montre sa nan tablo 1. Isit la, yon seri konsantrasyon konpayi asirans 1.5 × 1020<>< 2.0="" ×="" 1020="">-3se konsidere: sa a reprezante yon bon konpwomi pou reyalize FCA ki ba, bon konduktivite elektrik ak bon fòmasyon kontak ak kouch vwazen, ak yon epesè TCO 75 nm pou pwopriyete anti-reflektif.
Simetri a nan pwosesis selil SHJ ak itilizasyon gato (n-tip) ak lavi konpayi asirans trè wo pèmèt yon moun lib chwazi ki kontak (n oswa p) ap fè fas devan an. Pozisyon kontak p la (junction) gen yon enpak sou optimize TCO devan an pou jwenn tou de transparans segondè ak rezistans seri ki ba Rsnan selil la [24-27]. Pou demontre sa a, figi 2 montre seksyon kwa schematic nan selil solè bifasyal ak monofasyal SHJ nan yon konfigirasyon dèyè-junction ak tout kontribisyon Rs endike yo. Yon analiz detaye sou konpozan RS ak kontribisyon yo nan selil solè SHJ yo ka jwenn nan Basset et al. [25] ak Wang et al. [28]. Konduktivite a wo, sa vle di dansite ak mobilite, nan elektwon nan wa-a c-Si, ansanm ak rezistans nan kontak ki ba anpil nan kontak la n / TCO, favè chwa pou yo kontak la n yo te sou devan an ('junction dèyè'), kòm transpò lateral aktyèl la siyifikativman sipòte pa wafer la. Sa a detann kondisyon konduktivite nan TCO a (rezistans fèy), konsa pèmèt yon optimize nan direksyon pou pi wo transparans.
Pou ilistre efè libète ki mansyone anwo a nan konsepsyon selil, figi 3 prezante koub Rs fo ansanm ak valè eksperimantal ekstrè nan selil solè yo, ak yon varyasyon pwosesis ITO kòm yon fonksyon rezistans devan-TCO fèy la. Valè eksperimantal yo valide tandans modèl la [27]. Kòm ka byen klè wè, konsepsyon an dèyè-junction ofri yon avantaj pou segondè-reziste TCOs pa benefisye de sipò nan lateral nan kondiksyon elèktron nan plat la Si. Konsepsyon an devan-junction, nan lòt men an, se pi favorab pou kouch ki ba-rezistans TCO; konsepsyon sa a pran avantaj de kontribisyon ki pi ba Transversal Rs, depi elektwon, ki gen pi wo mobilite pase twou, vwayaje nan dèyè a nan plat la (ak fotogenerasyon sitou ki fèt tou pre bò a devan). Komès ki genyen ant kontribisyon Rs lateral ak transversal yo ap detèmine ki konsepsyon selil solè ki pi apwopriye, tou depann de rezistans fèy TCO ki disponib la.
R la▫chenn pou diferan TCOs rapòte nan literati a ak jan sa defini nan tablo 1 yo montre nan figi 3 ak lonbraj koulè ki koresponn lan. TCOs ak ba R▫(wouj) yo pi benefisye lè yo aplike nan yon aparèy devan-junction, pandan y ap TCOs ak mitan-ranje R▫(ble) yo nan yon rejyon tranzisyon kote R lasdiferans ant devan-junction ak aparèy dèyè-junction se jistis piti. Nan contrast, TCOs ak segondè R▫(gri) yo klèman avantaje lè aplike nan yon konsepsyon dèyè-junction; sa a favorab pou AZO, pou egzanp, avèk li ke yo te trè transparan, men se pa trè kondiktif, ankò toujou pwodwi menm efikasite nan selil SHJ> 23% kòm selil la referans ITO [23]. Nan Bèlen Helmholtz-Zentrum la, selil solè SHJ ak tou de ITO- ak AZO ki baze sou devan TCO te reyalize yon sètifye CE pi wo a 23.5% [29].
Yon lòt apwòch ki pran avantaj de sipò nan plat transpò plat, demontre pa kèk gwoup rechèch [27,30] ak nan pwodiksyon pilòt [31], se aplike mens TCOs, ki diminye absòpsyon parazit, konsa kenbe oswa amelyore selil solè CE. Aplikasyon an nan yon kouch mens TCO, sepandan, mande pou yon dezyèm kouch sou tèt - pou egzanp, SiO2oswa Si3N4- kenbe antirefleksyon an (AR) pi gwo [32-34].
Avèk presizyon quantifier pèfòmans nan optik nan TCOs diferan lè aplike nan chemine a selil, sa vle di detèmine pèt la espesifik nan kout sikwi dansite aktyèl (Jsc), similasyon ak yon zouti lojisyèl ray-tras (GenPro4 [35]) yo te pote soti. Lè w ap pran an kont pèt pouvwa ki gen rapò ak TCO nan selil la akòz tou de yon ogmantasyon nan Rs ak yon diminisyon nan Jsc, diferan materyèl TCO yo te referans, jan yo montre nan figi 4. Pou objektif sa a, yon referans selil solè ak CE=23.3 % te konsidere, san pèt ki gen rapò ak TCO nan J.scak R.s(FF). IOH, ITO ak AZO yo te etidye kòm egzanp ba-R la▫, mitan-R▫ak segondè-R▫rejim respektivman.
Aplikasyon nan tou de estanda 75 nm-epè ('epè') ak optik optimize mens ('mens') TCOs yo te etidye. Pou yon konparezon ki jis (sètadi yo rete nan pi gwo AR nan chak ka), tout selil yo (ki gen 'epè' ak 'mens' TCOs) yo te fini ak yon a-SiO2kouch kouch. Rezistivite yo kontak nan interfaces yo TCO / Ag ak TCO / Si yo te sipoze yo dwe (ki ba ak) egal pou tout twa TCOs, ki, nan kou, se yon senplifikasyon. Sa a pral diskite pita epi li prezante nan Haschke et al. [36]. Plis detay sou epesè kouch yo optimize ak rezilta simulation ka jwenn nan Cruz et al. [27].
Graf yo nan figi 4 montre pèt pouvwa ki gen rapò ak TCO akòz yon diminisyon nan Jsc ak nan yon ogmantasyon nan Rs, pou dèyè-junction (figi 4 (a)) ak devan-junction (figi 4 (b)) aparèy. Klèman, IOH la pèfòme de lòt TCO yo paske nan eksepsyonèl pwopriyete opto-elektwonik li yo nan tou de ka yo. Nan figi 4 (a), ki montre ITO epè a ak AZO, materyèl yo konpanse pèt CE yo, depi pi ba konduktivite AZO a montre absòpsyon parazit ki pi ba pase ITO a. Lè sa a konpare ak vèsyon yo mens nan TCOs, li ka obsève ke pèt la CE yon ti kras diminye kòm yon rezilta nan redwi absòpsyon parazit TCO. Ito a byen klè benefisye plis de eklèsi sa a, paske nan absòbe parazitman pi wo li yo, finalman ki mennen ale nan yon CE yon ti kras pi bon pase ak AZO. Sa a montre ke mens TCOs ak amelyore optik ka aplike nan yon konfigirasyon dèyè-junction epi yo pral benefisye an tèm de CE.
Nan contrast, gade nan konsepsyon an devan-junction nan figi 4 (b), li ka wè ke segondè-konduktivite IOH a pa pral soufri soti nan kontribisyon an pi ba transpò lateral pa wafer la. Konduktivite ki pi ba a ITO ak AZO, sepandan, ogmante pèt yo reziste. Diminye epesè ITO a pa mennen nan yon avantaj CE, tandiske nan ka AZO a li klèman dezavantaj. Li ka konkli ke yon TCO-konduktivite segondè, isit la IOH nan egzanp lan, kapab aplike sou tou de dèyè- ak devan-junction konfigirasyon selil solè san yo pa gwo diferans nan pèt CE. TCO ki pi ba-konduktivite - tankou ITO ak AZO - ap soufri soti nan Rs ki pi wo lateral prezan nan konfigirasyon an devan-junction. Diminye TCO a sou selil solè dèyè-junction avantaje si TCO a depase yon papòt absòpsyon sèten, menm pou yon TCO ak konduktivite ki ba, isit la AZO nan egzanp lan. Nan yon konsepsyon devan-junction, eklèsi a pral sèlman pote ti benefis, oswa menm ka dezavantaj pou TCO ki pi ba konduktivite tankou AZO.
Pèfòmans endistriyèl segondè-mobilite TCOs
Yo nan lòd yo teste segondè-mobilite TCOs sputtered nan yon pousantaj segondè pa DC sputtering soti nan sib tib, menm jan fèt nan gwo-echèl pwodiksyon an mas, diferan materyèl yo te itilize pou devan TCO a nan bifasyal dèyè-junction selil solè SHJ. De kalite TCO highmobility yo te teste, sètadi Titàn-doped oksid endyòm (ITiO) ak oksid endyòm ak yon kalite dopan sekrè ('Y'). Anplis de sa, ITO ak divès kalite konsantrasyon dopan te teste, sètadi ki gen 97% oksid endyòm ak 3% oksid fèblan nan sib la ('97 / 3 ') ak ITO 99/1. Kòm materyèl referans, ITO 97/3 te aplike sou bò dèyè tout selil yo. Yon gwoup selil ki gen ITO 95/5 sou tou de bò devan ak dèyè te enkli tou.
Kouch tès ki koresponn sou vè revele rezistans fèy TCO nan seri a 36-136 Ω apre depo ak rkwit pou 30 min nan 200 ° C anba kondisyon anbyen, ki se konparab ak geri a te pote soti apre enprime ekran. Sa a se yon seri apwopriye pou aplikasyon an kòm kontak la devan nan dèyè-junction selil solè SHJ, jan sa diskite pi bonè (gade figi 3). Li dwe pran an kont, sepandan, ke kouch TCO depoze sou vè ta ka montre pwopriyete (mobilite konpayi asirans) diferan de sa yo lè kouch yo depoze sou Silisyòm, jan sa nesesè pou selil solè yo. Sa a te atribiye a de efè [29]: (1) diferan nikleyè kristal, epi, kon sa, estrikti grenn; (2) diferan kontni idwojèn ki difize soti nan kouch Silisyòm lan nan TCO a.
Kouch yo ITiO ak Y montre mobilite segondè ki rive jiska 90cm2 / Vs, men ak diferan chaj-konpayi asirans dansite, sètadi 2 × 1020cm-3ak ~ 0.8 × 1020cm-3respektivman. Pou fim ITO97 / 3 ak ITO99 / 1, pi ba valè mobilite, nan anviwon 60 ak 70 cm2/ Vs nan chaj-konpayi asirans dansite nan 2.7 × 1020 cm-3ak 1.8 × 1020cm-3respektivman, yo te mezire. Kòm yon rezilta nan dansite a trè ba-konpayi asirans, fim yo Y te montre absòpsyon ki pi ba parazit nan rejyon an tou pre-enfrawouj (al gade Fig. 1), ki fè materyèl sa a pi pwomèt la pou reyalize Jsc ki pi wo a epi, pètèt, la CE ki pi wo nan selil solè yo.
LaI–Vparamèt nan chak nan gwoup yo tès yo montre nan figi 5. Tout selil montre konparab ouvè-sikwi vòltaj (Vok), ak medyàn nan seri etwat 737-738 mV. Sa konfime ke pasivasyon an pa t 'degrade paske yo te domaj sputter diferan. Kòm espere, selil solè yo ak mobilite segondè TCOs bay J ki pi wo ascvalè, ak medyàn 39.0 mA / cm2ak 39.2 mA / cm2pou ITiO ak Y respektivman. Sa a se jiska 0.5 mA / cm2pi wo pase sa reyalize ak referans ITO97 / 3 la.
Malgre segondè aJscak bonVokvalè, sepandan, selil yo ak yon kontak Y-devan pa t 'pwodwi efikasite ki pi wo yo. CE medyàn ki pi wo nan 22.9% te aktyèlman jwenn pou ITO99 / 1, pandan y ap valè ki pi wo nan CE nan 23.3% te mezire pou yon selil ki gen ITiO. CE ki pi ba a nan ka echantiyon Y yo soti nan FF ki pi ba medyàn nan sèlman alantou 77%, ki se akòz yon valè de Rs ki se konsiderableman pi wo; an reyalite, selil yo ak yon Y-devan kontak sede pi wo valè yo medyàn Rs nan 1.3-1.6 Ω cm2. Kontrèman, valè medyàn Rs la se 0.9 Ω cm2pou selil ITO99 / 1 yo, sa ki lakòz yon medyàn siyifikativman pi woFFnan 79.5%.
Tablo 1. Konparezon pwopriyete elektrik diferan TCO yo.
Figi 2. Schematic opinyon kwa-seksyonèl nan selil solè etewojonksyon dèyè-junction Silisyòm (SHJ): (a) konsepsyon selil bifasyal; (b) konsepsyon selil monofasyal, ak rezistans seri (Rs) eleman yo montre.
Figi 3. Rezistans seri kont rezistans fèy devan-TCO pou devan-ak dèyè-junction selil solè SHJ. Koub yo reprezante rezilta fo, pandan y ap bwat yo endike rezilta pou mezire selil ki gen yon varyasyon ITO.
Enpòtans rezistans kontak ki ba
Rezistans nan seri segondè nan selil yo ak (dansite ki ba konpayi asirans ak) segondè-mobilite TCO se an reyalite yon aspè ki bezwen yo dwe atake. Plis jisteman, de eleman prensipal yo nan Rsisit la yo se rezistans nan kontak nan TCOs yo ak kouch yo kontak silisyòm n- ak p-doped, ki te envestige an detay nan literati a [37-40]. Nan ka n-doped c-Si ki baze sou selil solè, rezistans kontak TCO a ak kouch n-doped Si yo ka karakterize pa divès kalite, relativman senp, teknik, tankou Cox ak Strack [41] oswa transmisyon -line [42] metòd. Rezistans nan kontak nan TCO a ak p-doped Si kouch la (TCO / p), nan kontras, se pi difisil jwenn aksè, paske se yon junction ki te fòme. Jan yo montre sa nan Basset et al. [21] ak Wang et al. [24], pou egzanp, yon metòd senp pou ekstrè valè R laseleman se dériver tout eleman ki aksesib nan Rs, ak valè ki rete a Lè sa a, konkli yo dwe rezistans nan kontak TCO / p.
Rezistivite nan kontak ρcdepann sou aliyman an bann detaye ak band koube, osi byen ke sou eta yo defo koòdone; pakonsekan, plizyè paramèt yo enpòtan, espesyalman enèji nan deklanchman nan kouch Si doped ak dansite a chaj-konpayi asirans, men tou, diferans lan fonksyon travay ant tou de materyèl yo. Procel et al. [38] te montre ke ρcse minim lè kouch yo dopan montre valè enèji aktivasyon ki ba, tankou sa yo jwenn ak kouch Silisyòm nanokristalin olye pou yo kouch amorphe.
Anplis, dansite chaj-konpayi asirans lan nan TCO a ta dwe byen pi wo a 1 × 1020cm-3; sa a se patikilyèman enpòtan pou kontak la TCO / p, pou ki rekombinasyon efikas nan twou ak elektwon nan kontak la se esansyèl. Ak rèspè nan seleksyon an ak optimize nan kouch TCO, sa a explik jwenn yon pi gwo pou ne, ki dwe wo ase reyalize ase ba ρcvalè, men, an menm tan an, yo dwe osi ba ke posib yo nan lòd yo limite absòpsyon parazit (FCA).
Nan yon eksperyans ki pi resan, yo te chwazi yon kouch Y ak yon dansite konpayi asirans ki pi wo; Fig 8 montre pwopriyete ki disponib nan akor pwosesis la. Vreman vre, pou TCO a adapte, selil la FF refè, men nan pri a nan yon ti diminisyon nan J.scpaske nan FCA adisyonèl la. An jeneral, CE toujou ogmante jiska yon nivo menm jan ak sa yo te jwenn pou gwoup yo pi byen nan figi 5, ki demontre enpòtans ki genyen nan akor atansyon nan kouch la ak pwopriyete koòdone.
Figi 4. Kouran-dansite ki gen rapò ak pèt pouvwa (Ploss J) ak seri-rezistans ki gen rapò ak pèt pouvwa (Ploss R) pou (a) dèyè-junction ak (b) devan-junction selil SHJ. Efikasite konvèsyon (CE) valè pèt yo endike pa liy yo an tirè; pèt sa yo se relatif nan yon selil solè referans ak 23.3% CE, reprezante pa dyaman la koulè wouj violèt nan (0,0). Senbòl yo plen reprezante 75nm-epè TCOs (estanda) men ak yon kouch anti-refleksyon (ARC) sou tèt, pandan y ap senbòl yo louvri reprezante mens (optimize) kouch TCO, tou ak yon ARC.
Aspè endistriyèl: pri sib
Kalite komen sib TCO yo itilize nan endistri PV Silisyòm cristalline yo se objektif wotasyonèl, ki se kokiy silendrik nan materyèl TCO a estokaj sou yon tib fè bak an metal. Pi long la tib la, plis kokiy yo dwe itilize pou sib la tib. Rezon an pou kisa endistri a pwefere sa a ki kalite sib pou sputtering nan TCOs se pousantaj la pi wo itilizasyon nan materyèl la sib TCO pase sa ki pou kalite plan nan sib TCO. Pousantaj itilizasyon materyèl sib la ak yon sib wotasyonèl anjeneral ≥80%; sa a se nan enterè patikilye nan ka a kote materyèl TCO yo koute chè, tankou TCO ki baze sou endyòm. Konsènan TCOs nan endistri PV cristalline Silisyòm, TCO ki baze sou endyòm yo dominan akòz pwopriyete kouch ekselan yo (jan yo te montre sa pi bonè). Men, gen kèk jwè mache yo ofri tou zenk ki baze sou TCOs pou menm objektif la. Vreman vre, gen avantaj ak dezavantaj pou lè l sèvi avèk zenk ki baze sou TCOs. Yon avantaj se pri ki pi ba nan yon sib tib ki baze sou zenk nan dimansyon ki idantik ak sa yo ki nan yon sib endyòm ki baze sou, Lè nou konsidere ke konduktivite ki pi ba nan zenk prezante kèk kontrent nan konsepsyon selil solè, jan yo diskite pi bonè ak vizyalize nan figi 3.
Fig 6 montre pri sib espesifik pou chak cm3nan sib tib pou zenk ki baze sou TCOs ak endyòm ki baze sou TCOs; sonje ke pri a nan tib la fè bak eskli nan pri a sib. Pwen done yo te ranmase nan men founisè sib tout atravè mond lan. Nimewo ki pi piti nan pwen done pou TCOs ki baze sou zenk ka atribiye a mank de enterè pou materyèl ki montre nan endistri PV kristal Silisyòm twò lwen.
Gen kèk gaye nan pri sib ki egziste paske nan materyèl sa yo diferan nan gwoup la zenk ak nan gwoup la endyòm, oswa paske nan Swèd diferan. Pwen done yo ki endike pi gwo pri sib nan tou de gwoup yo ka eksplike pa konpozisyon mwens komen ak / oswa pwosesis fabrikasyon koute chè ak / oswa marges segondè. Pwen done pri ki pi ba yo obsève nan tou de gwoup yo ta dwe valè pri reprezantan pou pwodiktè selil solè ak plizyè santèn tib anyèl sib demann lan.
Yon konparezon ki gen valè ki pi ba nan tou de gwoup revele ke Zn ki baze sou TCOs (pri sib ~ $ 0.6 / cm3) ka alantou yon trimès pri a nan ki baze sou TCOs (sib pri ~ $ 2.6 / cm3). Li ta dwe vize deyò, sepandan, ke pwen sa yo done yo se yon snapshot nan sitiyasyon an prezan epi yo pral byento pwobableman vin demode, tou depann de volatilité nan mache a stock ak konsiderasyon materyèl materyo, an patikilye endyòm.
Figi 5. I-V paramèt nan 4cm2 ki menm gwosè ak selil solè SHJ solè ak divès kalite TCOs devan ak ITO 97/3 sou bò dèyè. Ito 95/5, DC sputtered soti nan yon sib tib nan HZB, te enkli kòm yon referans.
Aspè endistriyèl: pwodiksyon an mas
Anplis dezi a aplike TCOs endyòm-gratis ak objektif la nan amelyore depans operasyonèl (OPEX), li se nan pi bon enterè a gen yon gwo volim manifakti sputtering zouti ki ka pwodwi yon-wo kalite kouch TCO a yon pri ki ba. Fig.7 montre trè pwodiktif XEA|nova L sputtering sistèm nan soti nan VON ARDENNE, ki ka depoze kouch TCO nan yon debi nan 8,000 gato M6 pou chak èdtan nan vèsyon debaz la, ak nan yon debi menm pi wo lè l sèvi avèk pakè ajou. Pandan 2019 ekipman XEA|nova a te vin yon pati nan yon liy fabrikasyon endistriyèl rive nan efikasite selil tèt ki pi wo a 24% lè l sèvi avèk fim TCO menm jan ak sa yo envestige isit la.
Yo nan lòd yo reyalize yon debi segondè, pousantaj la depo nan kouch yo TCO dwe segondè, ki ka reyalize pa aplike yon gwo pouvwa DC nan sib la tib. Sepandan, pwopriyete TCO yo toujou dwe konsève lè TCO prepare nan pi gwo dansite pouvwa. Fig 8 montre mobilite elèktron yo ak chaj-konpayi asirans dansite nan fim TCO, sputtered nan 4kW ak 8kW soti nan sib tib seramik nan TCO kalite 'Y'. Mobilite segondè nan anviwon 80 cm2/ Vs ta ka reyalize nan yon nivo pouvwa nan 4kW apre depo. Yon ogmantasyon nan pouvwa a sputtering a 8 kW diminye mobilite a maksimòm pa yon maksimòm de 10%. Li enteresan ke mobilite yo ta ka plis ogmante, jiska 100 cm2/ Vs, pa recuit fim sa yo pou 30 min nan 200 ° C, jan yo montre nan figi 8.
Figi 6. Pri sib espesifik pou chak cm3 nan sib materyèl pou endio ki baze sou ak zenk ki baze sou TCOs.
Konklizyon
SHJ teknoloji selil solè te demontre yo dwe yon jwè enpòtan sou wout la nan ogmante pati li yo nan gwo-echèl pwodiksyon an. Sa a se paske nan efikasite konvèsyon trè wo reyalize ak pwosesis pwodiksyon mèg la.
Konsènan wòl nan TCOs, twa aspè toujou bezwen adrese ranfòse kandida SHJ teknoloji a nan fè incursions adisyonèl nan endistri a selil solè:
1. Pli lwen amelyore pèfòmans selil yo.Sa a ka reyalize pa aplikasyon an nan segondè-mobilite TCOs ki apwopriye pou pwodiksyon an mas. Li te montre ke segondè-mobilite TCOs ka sputtered nan debi segondè, ak sa yo TCOs yo te teste nan selil solè SHJ. Malgre ke CE nan selil SHJ sa yo wo, li toujou ram dèyè sa yo ki nan selil referans ak pi bon ITO devan TCO a, malgre yon absòpsyon ki pi ba ak pi wo mobilite Sa a se atribiye a yon rezistivite kontak ogmante nan TCOs yo ak n- ak / oswa p-doped Silisyòm kontak. Fini-akor nan TCO a ak aplikasyon an nan kontakte kouch ak / oswa optimize koòdone ap bezwen adrese yo nan lòd yo plis redwi pèt reziste nan sa yo interfaces, epi, kidonk, rekòlte benefis yo plen nan pwopriyete yo TCO siperyè.
2. Diminye l 'nan materyèl ra (ak chè), patikilyèman endyòm.Yon opsyon atire pou reyalize yon ekonomize nan pri materyèl se diminye epesè TCO a; sa a se menm plis atire ak highconductivity koute chè (segondè-mobilite) TCOs. Sepandan, yon lòt etap pwosesis ki nesesè pou depoze yon dezyèm, anti-reflektif (capping), kouch (ARC) sou tèt TCO a yo nan lòd yo diminye pèt refleksyon. Altènativman, jan yo montre sa a nan papye sa a, pi ba konduktivite TCOs (AZO nan egzanp yo bay la) kapab aplike nan dèyè-junction selil solè san yo pa konpwomèt sou CE. Sa a enpòtans pwogrè kote pri konsène: nan analiz la prezante, ZnO ki baze sou objektif demontre pi ba pri nan $ 0.6 / cm3pou materyèl sib, konpare ak $ 2.6 / cm3pou objektif ki baze sou. Estabilite limite nan AZO ka fè fas ak pa, pou egzanp, capping li ak yon kouch Dielectric (a-SiO2oswa yon-SiNx).
3. Diminye depans ekipman PVD yo.Eskalad ak ogmante debi nan liy pwodiksyon TCO se yon fason a ale, ak DC sputtering ke yo te pare pou pwodiksyon segondè-debi nan TCOs pèfòmans segondè.
Remèsiman
Finansman pa ministè federal Alman an pou zafè ekonomik ak enèji (BMWi) nan kad pwojè Dynasto anba # 0324293 rekonesan.
Figi 8. Pwopriyete elektrik nan kouch TCO sputtered nan 4kW ak 8kW soti nan sib tib seramik nan kalite TCO 'Y', nan eta a kòm-depoze epi apre yo fin recuit pou 30 min nan 200 ° C nan kondisyon anbyen.
Remèsiman
Finansman pa ministè federal Alman an pou zafè ekonomik ak enèji (BMWi) nan kad pwojè Dynasto anba # 0324293 rekonesan.
Referans
[1] Chunduri, SK& Schmela, M. 2019, "Heterojunction solè teknoloji", Taiyang News [http://taiyangnews.info/TaiyangNews_Report_ Heterojunction_Solar_Technology_2019_EN_ download_version2.pdf].
[2] Ballif, C. et al. 2019, "Rezoud tout blokaj pou teknoloji etewojonksyon Silisyòm", Photovoltaics International, 42nd Edition, p. 85.
[3] Frank, G.& Köstlin, H. 1982, "Pwopriyete elektrik ak modèl defo nan kouch fèblan-doped kouch oksid endyòm", Appl. Phys. A, Vol. 27, No 4, pp. 197-206 [https: // doi. org / 10.1007 / BF00619080].
[4] Hamberg, I.& Granqvist, CG 1986, "Evapore Sn» dopan fim In2O3: Debaz pwopriyete optik ak aplikasyon pou enèji »fenèt efikas", J. Appl. Phys., Vol. 60, No 11, pp R123 – R160 [https: // doi. org / 10.1063 / 1.337534].
[5] Balestrieri, M. et al. 2011, "Karakterizasyon ak optimize nan fim oksid endyòm fèblan pou selil solè etewojonksyon", Sol. Enèji Mater. Sol. Selil, Vol. 95, No 8, pp. 2390–2399 [https://doi.org/10.1016/j.solmat.2011.04.012].
[6] Koida, T.& Kondo, M. 2007, "Etid konparatif nan transparan kondiktif Ti-, Zr-, ak Sn-doped In2O3 lè l sèvi avèk yon apwòch konbinezon", J. Appl. Phys., Vol. 101, nimewo 6, p. 063713 [https: // doi. org / 10.1063 / 1.2712161].
[7] Kobayashi, E., Watabe, Y.& Yamamoto, T. 2015, "High-mobilite transparan kondiktif fim mens nan seryòm-doped idrogenated oksid endyòm", Appl. Phys. Expr., Vol. 8, nimewo 1, p. 015505 [https: // doi. org / 10.7567 / APEX.8.015505].
[8] Macco, B. et al. 2014, "Segondè mobilite In2O3: H transparan oksid konduktif prepare pa depozisyon kouch atomik ak kristalizasyon faz solid", estati fizik solidi (RRL), Vol. 8, No 12, pp. 987-990 [https://doi.org/10.1002/pssr.201409426].
[9] Erfurt, D. et al. 2019, "Amelyore pwopriyete elektrik nan enpulsyon DC magnetron sputtered idwojèn doped oksid endyòm apre yo fin recuit nan lè", Mater. Sci. Semicon. Pwok., Vol. 89, pp. 170-175 [https://doi.org/10.1016/j.mssp.2018.09.012].
[10] Yu, J. et al. 2016, "tengstèn doped fim oksid endyòm: pare pou bifasyal kwiv metalizasyon nan Silisyòm etewojonksyon selil solè", Sol. Enèji Mater. Sol. Selil, Vol. 144, pp. 359-363 [https: // doi. org / 10.1016 / j.solmat.2015.09.033].
[11] Newhouse, PF et al. 2005, "Segondè mobilite elèktron W-doped In2O3 fim mens pa enpilsyon depozisyon lazè", Appl. Phys. Lèt., Vol. 87, nimewo 11, p. 112108 [https://doi.org/10.1063/1.2048829].
[12] Asikainen, T., Ritala, M.& Leskelä, M. 2003, "kouch atomik kwasans depo nan zirkonyòm dope In2O3 fim", mens fim solid, Vol. 440, No 1, pp. 152-154 [https://doi.org/10.1016/S0040- 6090 (03) 00822-8].
[13] Morales-Masis, M. et al. 2018, "Trè konduktif ak bande transparan Zr-doped In2O3 kòm elektwòd devan pou selil solè", IEEE J. Photovolt., Pp 1-6 [https://doi.org/10.1109/ JPHOTOV.2018.2851306].
[14] Morales ‐ Masis, M. et al. 2017, "elektwòd transparan pou optoelektronik efikas", Adv. Elektwon. Mater., Vol. 3, nimewo 5, p. 1600529 [https: // doi. org / 10.1002 / aelm.201600529].
[15] Delahoy, AE& Guo, SY 2005, "transparan ak semitransparan fè depozisyon fim pa reyaktif-anviwònman, kre katod sputtering", J. Vac. Sci. Teknoloji. A, Vol. 23, No 4, pp. 1215-1220 [https://doi.org/10.1116/1.1894423].
[16] van Hest, MFAM et al. 2005, "Titaniumdoped oksid endyòm: Yon kondiktè transparans segondè-mobilite", Appl. Phys. Lèt., Vol. 87, nimewo 3, p. 032111 [https://doi.org/10.1063/1.1995957].
[17] Meng, Y. et al. 2001, "Yon nouvo transparan kondiktif fim In2O3: Mo", mens fim solid, Vol. 394, No 1-2, pp 218-222 [https://doi.org/10.1016/ S0040-6090 (01) 01142-7].
[18] Yoshida, Y. et al., "Devlopman magnetron radyofrekans sputtered oksid endyòm molybdène", J. Vac. Sci. Teknoloji. A, Vol. 21, No 4, pp. 1092-1097 [https://doi.org/10.1116/1.1586281].
[19] Warmsingh, C. et al. 2004, "High-mobilite transparan fè Mo-doped In2O3 fim mens pa enpilsyon depozisyon lazè", J. Appl. Phys., Vol. 95, No 7, pp. 3831-3833 [https://doi.org/10.1063/1.1646468].
[20] Ruske, F. et al. 2010, "Amelyore transpò elektrik nan Al-doped oksid zenk pa tretman tèmik", J. Appl. Phys., Vol. 107, nimewo 1, p. 013708 [https://doi.org/10.1063/1.3269721].
[21] Hüpkes, J. et al. 2014, "Imid chalè ki estab dopan fim oksid zenk", mens fim solid, Vol. 555, pp 48-52 [https://doi.org/10.1016/j.tsf.2013.08.011].
[22] Greiner, D. et al. 2011, "estabilite chalè imid nan Al-doped fim oksid zenk sou substrats lis ak ki graj", mens fim solid, Vol. 520, No 4, pp. 1285– 1290 [https://doi.org/10.1016/j.tsf.2011.04.190].
[23] Morales-Vilches, AB et al. 2018, "ITO-gratis Silisyòm etewojonksyon selil solè ak ZnO: Al / SiO2 elektwòd devan rive nan yon efikasite konvèsyon nan 23%", IEEE J. Photovolt., Vol. 9, No 1, pp 1-6 [https: // doi.org/10.1109/JPHOTOV.2018.2873307].
[24] Bivour, M. et al. 2014, "Silisyòm heterojunction dèyè emeteur selil solè: Mwens restriksyon sou pwopriyete yo optoelektrik nan TCOs bò devan", Sol. Enèji Mater. Sol. Selil, Vol. 122, pp. 120-129 [https: // doi.org/10.1016/j.solmat.2013.11.029].
[25] Basset, L. et al. 2018, "Seri rezistans pann nan Silisyòm etewojonksyon selil solè ki pwodui sou liy pilòt CEA-INES", Proc. 35th EU PVSEC, Brussels, Bèljik, pp. 721-724 [https: // doi. org / 10.4229 / 35thEUPVSEC20182018-2DV.3.21].
[26] Ling, ZP et al. 2015, "ki genyen twa dimansyon analiz nimerik nan ibrid eterojonksyon Silisyòm wafer selil solè ak etewojonksyon kontak pwen dèyè", AIP Adv., Vol. 5, No 7, p. 077124 [https: // doi.org/10.1063/1.4926809].
[27] Cruz, A. et al. 2019, "Efè devan TCO sou pèfòmans nan selil solè eterojonksyon dèyè-junction Silisyòm: Insights soti nan similasyon ak eksperyans", Sol. Enèji Mater. Sol. Selil, Vol. 195, pp 339-345 [https://doi.org/10.1016/j. solmat.2019.01.047].
[28] Wang, E.-C. et al. 2019, "Yon metòd senp ak modèl analyse ekstrè etewojonksyon eleman selil solè rezistans seri ak ekstrè A-Si a: H (i / p) transparan konduktivite oksid kontak rezistans", AIP Conf. Pwok., Vol. 2147, No 1, p. 040022 [https://doi.org/10.1063/1.5123849].
[29] Cruz, A. et al. 2019, "Enfliyans kouch Silisyòm sou kwasans ITO ak AZO nan selil solè etewojonksyon Silisyòm", IEEE J. Photovolt., Pp 1-7 [https://doi.org/10.1109/JPHOTOV.2019.2957665].
[30] Muñoz, D.& Roux, D. 2019, "Ras la pou efikasite segondè nan pwodiksyon: Poukisa heterojunction se kounye a pare pou mache", Proc. 36th Inyon Ewopeyen PVSEC, Marseille, Lafrans, pp 1-20.
[31] Strahm, B. et al. 2019, "'HJT 2.0' amelyorasyon pèfòmans ak benefis pri pou pwodiksyon selil etewojonksyon Silisyòm", Proc. 36th EU PVSEC, Marseille, Lafrans, pp. 300-303 [https: // doi. org / 10.4229 / EUPVSEC20192019-2EO.1.3].
[32] Zhang, D. et al. 2013, "Design ak fabwikasyon nan yon SiOx / ITO doub-kouch anti-meditativ kouch pou selil solè heterojunction Silisyòm", Sol. Enèji Mater. Sol. Selil, Vol. 117, paj 132-138 [https: // doi. org / 10.1016 / j.solmat.2013.05.044].
[33] Geissbühler, J. et al. 2014, "Silisyòm etewojonksyon selil solè ak kòb kwiv mete-electrodes kadriyaj: Status ak konparezon ak teknik ajan epè-fim", IEEE J. Photovolt., Vol. 4, No 4, pp. 1055-1062 [https://doi.org/10.1109/ JPHOTOV.2014.2321663].
[34] Herasimenka, SY et al. 2016, "ITO / SiOx: pil H pou selil solè etewojonksyon Silisyòm", Sol. Enèji Mater. Sol. Selil, Vol. 158, Pati 1, pp. 98-101 [https: // doi.org/10.1016/j.solmat.2016.05.024].
[35] Santbergen, R. 2016, "Manyèl pou lojisyèl simulation optik selil solè: GENPRO4", Materyèl fotovoltaik ak aparèy, Delft University of Technology.
[36] Haschke, J. et al. 2020, "transpò lateral nan selil solè Silisyòm", J. Appl. Phys., Vol. 127 [https: // doi. org / 10.1063 / 1.5139416].
[37] Bivour, M. et al. 2012, "Amelyore a-Si: H (p) kontak emeteur dèyè selil solè Silisyòm n-tip", Sol. Enèji Mater. Sol. Selil, Vol. 106, pp. 11-16 [https: // doi. org / 10.1016 / j.solmat.2012.06.036].
[38] Procel, P. et al. 2018, "evalyasyon teyorik nan kontak kontak pou segondè efikasite IBC-SHJ solè selil", Sol. Enèji Mater. Sol. Selil, Vol. 186, pp. 66-77 [https://doi.org/10.1016/j.solmat.2018.06.021].
[39] Luderer, C. et al. 2019, "Kontak rezistivite nan TCO / a-Si: H / c-Si heterojunction", Proc. 36th EU PVSEC, Marseille, Lafrans, pp 538-540 [https: // doi. org / 10.4229 / EUPVSEC20192019-2DV.1.48].
[40] Messmer, C. et al. 2019, "Enfliyans nan oksid interfacial nan TCO / doped Si kontak fim mens sou transpò a konpayi asirans chaj nan kontak pasivasyon", IEEE J. Photovolt., Pp 1-8 [https://doi.org/10.1109/ JPHOTOV.2019.2957672 ].
[41] Cox, RH& Strack, H. 1967, "kontak ohmik pou aparèy GaAs", Solid-State Electron., Vol. 10, No 12, pp. 1213-1218 [https://doi.org/10.1016/0038- 1101 (67) 90063-9].
[42] Fellmeth, T., Clement, F.& Biro, D. 2014, "Modèl analyse nan endistriyèl ki gen rapò ak selil Silisyòm solè", IEEE J. Photovolt., Vol. 4, No 1, pp. 504-513 [https://doi.org/10.1109/JPHOTOV.2013.2281105].
