Sous: medium.com
HJT se akwonim pou selil etewo-junction solè. Prezante pa konpayi Japonè Sanyo nan ane 1980 yo, Lè sa a, akeri pa Panasonic nan 2010s, HJT konsidere kòm yon siksesè potansyèl nan selil popilè PERCsolar la nan moman sa a nan ekri, san konte lòt teknoloji tankou PERTandTOPCON.
Akòz mwens kantite etap pwosesis selil HJT a, ak yon tanperati pwosesis selil ki pi ba anpil, achitekti sa a gen potansyèl pou senplifye aktyèl liy selil solè fabrikasyon ki aktyèlman lou ki baze sou teknoloji PERC.
Jan yo montre figi 1, HJT trè diferan ak estrikti PERC popilè a. Kòm yon rezilta, pwosesis fabrikasyon ant de achitekti sa yo trè diferan. Konpare ak n-PERT oswa TOPCON, ki ka modènize nan liy PERC aktyèl yo, HJT mande pou envestisman kapital enpòtan nan nouvo ekipman yo kòmanse pwodiksyon an mas.
Anplis de sa, menm jan ak yon anpil nan nouvo teknoloji, alontèm operasyon / estabilite fabrikasyon nan HJT toujou anba revize. Sa a se akòz defi pwosesis tankou sansibilite Si amorphe nan pwosesis tanperati ki wo.
HJT demontre segondè efikasite selil solè gras a bon jan kalite segondè idrogenated intrinsèques amorphe Si (a-Si: H nan Figi 1) ki ka bay enpresyonan pasivasyon domaj nan tou de sifas la devan ak dèyè nan gato Si (tou de n-kalite ak p-kalite polarite).
Itilize nan ITO kòm kontak transparan tou amelyore koule aktyèl, pandan y ap tou aji kouch anti-refleksyon an bay optimal limyè kaptire. Anplis, ITO kapab tou depoze via sputtering nan tanperati ki ba, konsa evite re-kristalizasyon nan kouch la amorphe ki pral gen enpak sou bon jan kalite a pasivasyon nan materyèl sa yo sou sifas la Si esansyèl.
Malgre defi pwosesis li yo ak envestisman kapital segondè, HJT se toujou yon teknoloji atire. Teknoloji sa a demontre kapasite pou reyalize> 23% efikasite selil solè, konpare ak ~ 22% yo montre nan teknoloji TOPCON, PERT ak PERC.
