Nwa Silisyòm Sifas P Kalite Polikristalin Wafer Solè ki gen ladan 166mm * 166mm

Blak Silicon Surface P Type Polycrystalline Solar Wafer Including 166mm*166mm

Black Silicon Surface P Type Polycrystalline Solar Wafer Including 166mm*166mm

Black Silicon Surface P Type Polycrystalline Solar Wafer Including 166mm166mm 01

Black Silicon Surface P Type Polycrystalline Solar Wafer Including 166mm*166mm

Nwa Silisyòm Sifas P Kalite Polikristalin Wafer Solè ki gen ladan 166mm * 166mm

Pwodwi Entwodiksyon:

Metal ede chimik grave (MACE) se yon dènyèman devlope anisotropik mouye metòd grave ki se kapab pwodwi rapò aspè segondè nanostructures semi-conducteurs soti nan fim metal modele.

Voye rechèch

Chat kounye a

Dekri teren

Karakteristik teknik

P type black silicon wafer 7

P type black silicon wafer in cascade 3

Metal ede chimik grave (MACE) se yon dènyèman devlope anisotropik mouye metòd grave ki se kapab pwodwi rapò aspè segondè nanostructures semi-conducteurs soti nan fim metal modele.

Nan yon modèl byen aksepte ki dekri pwosesis MACE, laoksidanse pi pito yo dwe redwi nan sifas la nankatalis metal, ak twou (h +) yo sou fòm piki soti nan katalis metal Si oswa elektwon (e−) yo transfere soti nan Si katalis metal. Si anba katalis metal gen maksimòm lantwou konsantrasyon, Se poutèt saoksidasyonak yap divòse nan Si rive preferansyèlman anba katalis metal.

Efikasite enèji solè konvèsyon yo jwenn yo dwe ogmante lè SiNWs akrapò aspè segondèyo ap travay nan sifas la nan iradyasyon limyè slar.

1 Kondisyon andigman

Paramèt	Pwosesis	Refleksyon
Front Side
Kondisyon andigman	Metal Ede grave chimik	Ba
Retounen Side
Kondisyon andigman	Poli oswa relyèf	Segondè oswa ba

2 Pwopriyete materyèl

Pwopriyete	Espesifikasyon	Metòd enspeksyon
Metòd kwasans	solidifikasyon direksyon	XRD
Kristalinite	polikristalin	Teknik etch preferansyèl（ASTM F47-88）
Kalite konduktivite	P-kalite	Napson EC-80TPN P/N
Dopant	Bor	-
Oksijèn konsantrasyon [Oi]	≦1E+17 nan / cm³	FTIR (ASTM F121-83)
Konsantrasyon kabòn [CS]	≦1E+18 nan / cm³	FTIR (ASTM F123-91)

3 Pwopriyete elektrik

Pwopriyete	Espesifikasyon	Metòd enspeksyon
Rezistivite	0.5-2 Ωcm (Apre anneal)	Wafer enspeksyon sistèm lan
MCLT (minè konpayi asirans pou tout lavi)	≧2 μs	Sinton QSSPC

4 Jewometri

Pwopriyete	Espesifikasyon	Metòd enspeksyon
Jewometri	Kare oswa Rektang	Wafer enspeksyon sistèm lan
Figi kwen bizote	Liy	Wafer enspeksyon sistèm lan
Gwosè Wafer (Side longè * longè bò)	156mm * 156mm 157mm * 186mm 166mm * 166mm	Wafer enspeksyon sistèm lan
Ang ant kote adjasan yo	90±3°	Wafer enspeksyon sistèm lan

Baj popilè: nwa Silisyòm sifas p kalite polikristalin wafer solè ki gen ladan 166mm * 166mm, Lachin, Swèd, manifaktirè, faktori, te fè nan peyi Lachin