N Kalite Silisyòm Solè Selil

Silisyòm Heterojunction Teknoloji (HJT) baze sou yon emetè ak tounen sifas jaden (BSF) ki te pwodwi pa kwasans tanperati ki ba nan ultra-kouch mens nan Silisyòm amorphe (a-Si:H) sou tou de bò nan trè

210mm M12 Silisyòm Heterojunction Teknoloji (HJT) selil solè se ak 24.4 pousan efikasite ak rated pouvwa a 10.76Watt pou chak selil.

Silisyòm Heterojunction Teknoloji (HJT) baze sou yon emetè ak tounen sifas jaden (BSF) ki te pwodwi pa kwasans tanperati ki ba nan kouch ultra-mens nan Silisyòm amorphe (a-Si:H) sou tou de bò nan trè

TOPCON (tinèl oksid pasivasyon kontak) teknoloji ranfòse N kalite efikasite selil solè jiska 25 pousan .Endistriyèl 210mm TOPCon selil solè se ak maksimòm 24.4 pousan efikasite ak 10.76Watt rated

TOPCON (tinèl oksid pasivated kontak) teknoloji ranfòse N kalite solè efikasite solè jiska 24.5%. Monokristalin tip N 182mm TOPCon selil solè se ak pouvwa rated 8.08Watt nan 24.5% efikasite. plis

Modènize nan teknoloji PERT, TOPCON (tinèl oksid pasivasyon kontak) teknoloji konbine avèk AlOx / SiNx kouch pasivasyon ranfòse N kalite 166mm efikasite solè solè jiska 24.4%.

N-tip Mono bifasyal PERT (passivated emeteur dèyè totalman difize) selil solè Silisyòm posede efikasite konvèsyon segondè ak estabilize.N tip bifasyal PERT selil solè a ka fabrike ak koule pwosesis

N-kalite Mono bifasyal PERT (pasivatè emeteur dèyè totalman difize) selil Silisyòm solè posede efikasite konvèsyon segondè ak estabilize.N-kalite Silisyòm solè selil yo konsidere kòm altènativ pwomèt

Nan kontak la entedijite tounen (IBC) selil estrikti emitye a ak kontak yo tou de sou bo a tounen nan waf la ki pemet optimize endepandan nan sifas la devan pou pwopriyete optik ak tounen sifas pou

N-kalite Mono bifasyal PERT (pasivatè emeteur dèyè totalman difize) selil Silisyòm solè posede efikasite konvèsyon segondè ak estabilize.N-kalite Silisyòm solè selil yo konsidere kòm altènativ pwomèt